• 产品名称:清华大学三维石墨烯光电传感器研究取得重要进
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  • 发布时间: 2019-05-01
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  光电传感器是光通讯、成像、传感等很众周围的焦点元件。石墨烯具有奇异的零带隙机合、超疾的载流子转移率等益处,是筑制高功能光电传感器的理思资料。守旧的石墨烯光电传感器众采用平面二维(2D)GFET机合,具有超宽的带宽和超疾的相应速率。然则,因为单层石墨烯对光的吸取率唯有2.3%,导致2D GFET光电传感器的相应度很低(~6.3 mA/W)。固然将石墨烯与光敏物质相联络可能大幅度抬高光电传感器的相应度,然则带宽和相应速率会要紧受损。

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  该论文愚弄自卷曲要领筑制了一种微管式三维石墨烯场效应管(3D GFET),可用作光电传感器,告终对紫外光、可睹光、中红外光、太赫兹波的超高乖巧度、超疾探测。

  据麦姆斯磋议报道,不日,清华大学微纳电子所教养刘泽文、北京交通大学电子讯息工程学院邓涛副教养纠合团队正在邦际有名学术期刊《纳米疾报》(Nano Letters)上宣告了题为《基于三维石墨烯场效应管的高功能光电传感器》(”Three-Dimensional Graphene Field-Effect Transistors as High Performance Photodetectors”)的探究论文。

  据麦姆斯磋议报道,不日,清华大学微纳电子所教养刘泽文、北京交通大学电子讯息工程学院邓涛副教养纠合团队正在

  同时,这种3D GFET兼具超高的相应度和超疾的相应速率,正在紫外光至可睹光区域的相应度可达1 A/W以上,正在太赫兹区域的相应度高达0.23 A/W,响适时间疾至265 ns(纳秒)。该探究所提出的筑制要领不光为3D石墨烯光电器件与体例的告终铺平了道途,还可能扩张至二硫化钼、黑磷等其他类石墨烯2D晶体资料。审稿人高度评判该探究收获,以为该探究对通盘二维资料探究周围具有紧要旨趣。

  该论文的第一作家为清华大学微纳电子学系2015届卒业生、现北京交通大学电子讯息工程学院邓涛副教养。清华大学微纳电子所刘泽文教养、北京交通大学电子讯息工程学院邓涛副教养为该论文的通信作家。该探究获得了邦度自然科学基金、北京市自然科学基金和主题高校基础科研交易费项方针支柱。

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  该探究提出了一种愚弄氮化硅应力层驱动2D GFET自卷曲为微管式3D GFET机合的要领,初度筑制出了卷曲层数(1-5)和半径(30 m-65 m)精准可控的3D GFET器件阵列。这种3D GFET可用作光电传感器,事业波长限制从紫外光(325 nm)区域不绝延长至太赫兹(119 m)区域,为仍然报道的基于石墨烯资料的光电传感器带宽之最。

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