• 产品名称:滨松率先量产InAs-GaS多赢彩票b中红外探测器可用
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  • 发布时间: 2019-10-24
产品详细

  这款化合物光电半导体由2000众层砷化铟(InAs)和锑化镓(GaSb)薄膜层正在基板上瓜代层叠组成。

  据麦姆斯筹议报道,滨松光子学株式会社(Hamamatsu Photonics)指日通告批量坐蓐了一种不运用欧盟委员会RoHS束缚物质的中红外化合物半导体探测器。

  Hamamatsu称,多赢彩票这款新产物相当实用于傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)分光光度计等剖判仪器,这些仪器依赖中红外光来识别气氛、食物和药物中所含的物质。这款新产物还可能庖代常用于气体组分剖判仪和红外测温仪的现有中红外探测器。

  该探测器或许感知波长为14.3 um的中红外光,且不运用中红外探测器常用的汞和镉质料。这些质料现正在已是欧盟RoHS指令下的束缚无益物。

  探测可睹光重要采用的是由硅(Si)质料制成的光学半导体器件,但要检测波长比可睹光长的中红外光,则须要运用组合众种质料的化合物半导体器件。然而,这些化合物光电半导体布局的大领域批量坐蓐难度很大。

  Hamamatsu声称它们是第一家批量坐蓐这种II型超晶格红外探测器的公司。其修制时间或许精准瓜代层叠具有匀称厚度、重复反复的InAs和GaSb薄膜。返回搜狐,查看更众

  左图为大众化合物半导体器件,右图为Hamamatsu率先量产的中红外化合物半导体探测器。平时半导体器件的光授与层采用的是简单质料,而Hamamatsu的该产物采用的是2000层以上厚度为数纳米的InAs和GaSb薄膜正在基板上瓜代层叠造成的光授与层。

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